可以從以下幾個方面區分 DDR3 和 DDR4 內存條：

外觀方面

• 引腳數量與間距：DDR3 內存條通常為 240 針腳，而 DDR4 內存條則采用 288 針腳 。并且，DDR4 內存的引腳間距更小，為 0.85mm，DDR3 的引腳間距為 1mm.
• 金手指形狀：DDR3 內存的金手指是平直的，而 DDR4 內存的金手指呈彎曲狀.
• 缺口位置：DDR4 內存條的缺口位于內存條中央，而 DDR3 內存條的缺口位于靠近一端的邊緣.
• 長度、高度與厚度：DDR4 內存條通常比 DDR3 內存條更長，高度方面，DDR4 模塊高度為 31.25mm，高于 DDR3 的 30.35mm；厚度上，DDR4 為 1.2mm，比 DDR3 的 1mm 更厚.

性能參數方面

• 頻率和傳輸速度：DDR3 內存的常見頻率為 800MHz - 2133MHz，傳輸速率為 0.80 - 2.13 GT/s ；而 DDR4 內存的起始頻率為 2133MHz，常見頻率范圍為 2133MHz - 3200MHz，傳輸速率為 2.13 - 4.26 GT/s，其頻率和傳輸速度都明顯高于 DDR3 內存.
• 延遲：雖然 DDR4 內存頻率更高，但它的延遲（CAS 延遲）通常比 DDR3 更低，低延遲有助于提高內存的響應速度，對于高性能計算尤為重要.
• 容量：DDR3 內存單條最大容量一般為 16GB，而 DDR4 內存支持更高的單模塊容量，單條容量最大可以達到 128GB.
• 電壓與功耗：DDR3 內存的標準工作電壓為 1.5V，高性能版為 1.65V，低電壓版為 1.35V；而 DDR4 內存的標準工作電壓為 1.2V，高性能版為 1.35V，低電壓版為 1.05V 。在相同的頻率下，DDR4 內存的功耗更低，更節能.

技術特點方面

• 傳輸機制：DDR4 引入了 differential signaling（差分信號技術），而 DDR3 主要使用傳統的 single-ended signaling 信號.
• 訪問機制：DDR3 的數據讀取訪問機制是雙向傳輸，而 DDR4 則改為了點對點技術.
• 封裝技術：DDR4 內存采用 3ds 封裝技術，可以增大單顆芯片的容量，使用該技術后，單條內存的容量最大可達目前產品的 8 倍之多.